Výrobca Číslo produktu:
BTS244Z E3062A
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
BTS244Z E3062A-DG
Popis:
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5-62
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 35A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount PG-TO220-5-62
Inventár:
12801926
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BTS244Z E3062A Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
TEMPFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
55 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
13mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 130µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2660 pF @ 25 V
Funkcia FET
Temperature Sensing Diode
Stratový výkon (max.)
170W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-5-62
Balenie / puzdro
TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
SP000399004
BTS244ZE3062A
BTS244ZE3062AT
BTS244ZE3062ANT
BTS244Z E3062A-DG
BTS244ZE3062AATMA1
SP000012180
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
BTS244ZE3062AATMA2
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1681
ČÍSLO DIELU
BTS244ZE3062AATMA2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.57
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSS169 E6327
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
BSC019N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
IPL60R115CFD7AUMA1
HIGH POWER_NEW